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Infineon IRFS3206PBF

IRFS3206PBF N-channel MOSFET Transistor, 210 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
$ 3.98
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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element14 APAC

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

IHS

Newark

iiiC

DigiKey

Alternative Teile

Price @ 1000
$ 3.98
$ 1.35
$ 1.35
Stock
422,073
404,400
404,400
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
6.54 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

InfineonIRFS3006PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon N-Channel MOSFET HEXFET Series Vds=75V 170A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 75V, 170A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
onsemiFDB029N06
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFS3206PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRFS3206PBF N-channel MOSFET Transistor, 210 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 3 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 60V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:210A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3206; Current Id Max:120A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:300mW; Pulse Current Idm:840A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFS3206 PBF
  • IRFS3206PBF.
  • SP001557264