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onsemi FDB088N08

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ
$ 1.59
EOL
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Avnet
2
FDB088N08
8.540
1600
USD
1,145
2d
Rochester Electronics
FDB088N08
25.185
USD
1,600
1,330
1,180
3h
Flip Electronics
FDB088N08
8.540
>1wk
Newark
FDB088N08
0
800
Tape & Reel
USD
1,850
1,780
Win Source
WS-FDB088N08
25.290
30
USD
1,990
1,616
1,616
4h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiFDB088N08
InfineonIRFS3607TRLPBF
InfineonIRFS3607TRLPBF
Price @ 1000
$ 1.59
$ 1.109
$ 1.109
Stock
594,901
650,614
650,614
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
80 A
80 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
8.8 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
140 W
140 W
Input Capacitance
6.595 nF
3.07 nF
3.07 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

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N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM -120A D2PAK STripFET II MOSFET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB088N08, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N CH, 75V, 85A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:160W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Farnell

Bilder

Augswan
Farnell
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd