Infineon IRFS3107TRL7PP

N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Cont
$ 2.18
EOL
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
IRFS3107TRL7PPCT-ND1.1601Cut Tape
Arrow Electronics
2
IRFS3107TRL7PP2.4591
RutronikTMOSP123852.400800
14h
Rochester ElectronicsIRFS3107TRL7PP1.315
7h
Future Electronics
2
IRFS3107TRL7PP0800Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

Future Electronics

Newark

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Verwandte Teile

InfineonIRFS3107-7PPBF
Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 240 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Details
InfineonIRFS3006-7PPBF
Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Details
InfineonIRFS7730-7PPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
Details
onsemiFDB0250N807L
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 240A, 2.2mΩ
Details
onsemiFDB0190N807L
Onsemi N channel power trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFS3107TRL7PP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Newark
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 260 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Verical
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 370 W
Distrelec
Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Infineon
MOSFET, N-CH, 75V, 260A, TO-263-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 260A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 370W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Bilder

Infineon
element14 APAC
Newark
Distrelec
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Distrelec
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International Rectifier
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFS3107TRL-7PP
  • SP001571528