Infineon IRFR7440TRPBF
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Stock
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313,704
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
90 A
90 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.61 nF
4.61 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR8403
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonIPD100N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR7440TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N CH 40V 90A DPAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 89 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 180 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 1.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 34 / Rise Time ns = 39 / Turn-OFF Delay Time ns = 51 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.61 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen