Infineon IRFR7440PBF
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Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.39
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Stock
313,704
1,369,413
Authorized Distributors
2
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
90 A
90 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.61 nF
4.61 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRFR7440TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonAUIRFR8403
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR7440PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.61 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max2.4 mΩ
Recovery Time34 ns
Rise Time39 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen