Infineon IRFH5302TRPBF
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NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH5302TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6mm package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 100A, 2.1 MOHM MAX, 29 NC QG, PQFN 5X6
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: PQFN; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max2.1 mΩ
Resistance2.1 MΩ
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height950 µm
Length5.9944 mm
Width5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen