Infineon IRFR5505TRLPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.11 Ohm; Id -18A; D-pak (TO-252AA); Pd 57W
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 13 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

Newark

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-06-30

Verwandte Teile

InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -20A, 105 MOHM, 31 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
InfineonIRLR9343PBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -20A, 105 MOHM, 31 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
PWR MOS ULTRAFET 55V/15A/0.090OHMS N-CHANNEL TO-252AA
15 A 55 V 0.09 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR5505TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-18A; On Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 110 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 16 / Rise Time ns = 28 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 57

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001552238