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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonIRFR024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRFR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
InfineonIRFR024NTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
onsemiHUFA76409D3S
17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75307D3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
15 A 55 V 0.09 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
45W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 20nC@ 20V 1N 55V 90m¦¸@ 15A,10V 250pF@25V TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 55V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFETs 15a, 55V N-Channel UltraFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation45 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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