Infineon IRLR9343TRPBF
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505GTRPBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
onsemiHUFA75307D3S
45W(Tc) 4V@ 250µA 20nC@ 20V 1individualNChannel 55V 90mΩ@ 15A,10V 250pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUFA75307D3ST
45W(Tc) 4V@ 250µA 20nC@ 20V 1individualNChannel 55V 90mΩ@ 15A,10V 250pF@25V TO-252AA SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR9343TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -20A, 105 MOHM, 31 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Single P-Channel 55 V 93 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-20A; On Resistance, Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation79 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance93 MΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen