Infineon IRFR2607ZPBF

Name: Infineon IRFR2607ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR2607ZPBF

INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

$ 0.65

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR2607ZPBF	0	675	Bulk				0,650	0,650	15h
Farnell	IRFR2607ZPBF	0	1		2,910*	2,190*	1,741*	1,259*	1,259*	22h
Win Source	WS-813065	7.000	26				1,798	1,508	1,508	23h
Worldway Electronics	IRFR2607ZPBF	18.929	7	Tube		0,575	0,558	0,528	0,528	22h
SHENGYU ELECTRONICS	IRFR2607ZPBF	11.601	1		0,306	0,300	0,290	0,280	0,270	2d

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

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InfineonIRFR2607ZPBF

InfineonIRFR2607ZTRPBF

Price @ 1000

$ 0.65

$ 0.701

Stock

40,020

467,099

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

110 W

Input Capacitance

1.44 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR2607ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

Fly-Wing Technology

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 17.6 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 75 V 22 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC

Infineon

MOSFET, IPS, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Base Number:2607; Current Id Max:42A; Current Idss Max:250mA; Current Idss Min:20mA; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:80A; Storage Temperature Max:175°C; Storage Temperature Min:-55°C; Termination Type:SMD; Turn Off Time:39ns; Turn On Time:14ns; Voltage Vds:75V; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

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Bilder

Infineon

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

SP001567472

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)42 A

Current Rating45 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance22 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Dual Supply Voltage75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time28 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.44 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation110 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance22 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation110 W

Resistance22 MΩ

Rise Time59 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)75 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Datenblätter und Dokumente

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