Infineon IPD127N06LGBTMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPD053N06NATMA1
3KW 20V 2.8V(Typ) 27nC@ 10V 1N 60V 5.3m¦¸@ 10V 2nF@ 30V TO-252 6.5mm*622cm*2.51mm
InfineonIPD088N06N3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD35NF06LT4
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD127N06LGBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
136W 20V 52nC@ 10V 1N 60V 12.7m¦¸@ 10V 50A 1.7nF@ 30V TO-252 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
50 A 60 V 0.0127 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Resistance12.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.7 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max12.7 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen