Infineon IPD088N06N3GBTMA1
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2021-12-31
LTD Date2022-06-30
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD088N06N3GBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0071ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8.8 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation71 W
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen