Infineon IRFR1018ETRPBF
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$ 7.96
Stock
838,523
145,415
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
8.4 mΩ
8.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.29 nF
2.29 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR1010ZTRLPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Diodes Inc.DMTH6010SK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6010SK3-13
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR1018ETRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:79A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:110W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 46 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max8.4 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen