Diodes Inc. DMTH6010LK3Q-13
$ 0.654
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMTH6010LK3Q-13 | 0 | 2500 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMTH6010LK3Q-13 | 0 | 2500 | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMTH6010LK3Q-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-DMTH6010LK3Q-13 | 1.484 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-DMTH6010LK3Q-13 | 15.309 | 12 | 20h |
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMTH6010LK3Q-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 14.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
31W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 41.3nC@ 10 V 1N 60V 8m¦¸@ 20A,10V 14.8A,70A 2.09nF@30V TO-252-3 6.58mm*6.1mm*2.29mm
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.40%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max8 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101 , IATF 16949
REACH SVHCNo
RoHSCompliant