Infineon IRFR1010ZPBF

Name: Infineon IRFR1010ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR1010ZPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 5.8Milliohms; ID 42A; D-Pak (TO-252AA); -55deg

$ 0.526

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRFR1010ZPBF	75					0,634	0,526	0,469	10h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR1010ZPBF	0	600	Bulk				2,510	2,230	23h
Farnell	IRFR1010ZPBF	0	1		2,325*	1,855*	1,438*	0,884*	0,867*	10h
Win Source	WS-IRFR1010ZPBF	7.400	65				0,895	0,693	0,693	11h
Worldway Electronics	IRFR1010ZPBF	14.731	7	Tube		0,174	0,169	0,160	0,160	9h

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

IHS

Future Electronics

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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InfineonIRFR1010ZPBF

InfineonIRFR1010ZTRPBF

Price @ 1000

$ 0.526

$ 0.749

Stock

204,553

823,716

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

7.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

140 W

Input Capacitance

2.84 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR1010ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55deg

RS (Formerly Allied Electronics)

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature

Infineon

Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:91A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-252; Current Id Max:42A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Ptot Max:140W; Pulse Current Idm:360A; SMD Marking:IRFR1010ZPBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR1010ZPBF .
IRFR1010ZPBF.
SP001578020

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)42 A

Current Rating42 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance7.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time48 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.84 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance7.5 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation140 W

Rds On Max7.5 mΩ

Rise Time76 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time42 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.7056 mm