Infineon IRFR1205TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.027 Ohm; Id 44A; D-pak (TO-252AA); Pd 107W
$ 0.474
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IHS

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Newark

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFR1205PBF
Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
InfineonIRFR2405PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
InfineonIRFR48ZPBF
Single N-Channel 55 V 11 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 60 V,50 A, 10 mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR1205TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 44A;D-Pak (TO-252AA);PD 107W
Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:44A; On Resistance Rds(On):0.027Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR1205TRPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 44 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 27 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 60 / Rise Time ns = 69 / Turn-OFF Delay Time ns = 47 / Turn-ON Delay Time ns = 7.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 107

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR1205TRPBF.
  • SP001560566