Infineon IRFP260MPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V
InfineonIRFP250MPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP260MPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube / MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Single N-Channel 200 V 0.04 Ohm 234 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole
IR MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247-3 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 300 W
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:300W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFP260MPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.057 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation300 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length16.129 mm
Width5.2 mm
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