Infineon IRFP4227PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Verwandte Teile
InfineonIRFP90N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V
InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4227PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Single N-Channel 200 V 25 mOhm 70 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N, 200V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:46A; Cont Current Id @ 25°C:65A; Current Id Max:65A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:260A; Rth:0.45; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:240V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage240 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance25 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation330 W
Rds On Max25 mΩ
Recovery Time150 ns
Resistance25 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen