Infineon IRFP260NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs +/-20V
$ 1.957
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRFP260NPBF5831
2d
NewarkIRFP260NPBF10.7601
Arrow ElectronicsIRFP260NPBF5981
Future Electronics
2
IRFP260NPBF28.37525Tube
Rochester ElectronicsIRFP260NPBF3.832
20h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-05-22
LTD Date2015-11-22

Verwandte Teile

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Details
VishayIRFP240PBF
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFP260NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 200V 0.04 Ohm 234 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole
Avnet
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
ComSIT Distribution GmbH
N Channel Mosfet, 200V, 50A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP260NPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.5°C/W; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
element14 APAC

Bilder

Infineon
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFP-260N
  • IRFP260N
  • IRFP260N PBF
  • IRFP260N.
  • IRFP260NPBF.
  • SP001552016