Infineon IRFP250MPBF
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Verwandte Teile
InfineonIRFP250NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 30A;TO-247AC;PD 214W;VGS +/-20V
InfineonIRFP140NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP250MPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 75 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 200V, 30A, TO-247AC-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 43 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247AD / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 214
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.159 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance75 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation214 W
Rds On Max75 mΩ
Resistance75 MΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length16.129 mm
Width5.2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen