Infineon IRFH5406TRPBF

Single N-Channel 60 V 14.4 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
$ 1.026
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFH5406TRPBF herunter.

Newark

Datasheet10 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 14 Jahren

IHS

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRFH5406TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-04-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15

Verwandte Teile

Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFH5406TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 60 V 14.4 mOhm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
MOSFET, 60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5x6
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 46 W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):11.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFH5406
  • IRFH5406TRPBF.
  • SP001577902