Infineon IRFH5110TRPBF

Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
$ 0.622
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFH5110TRPBF4891
Rochester ElectronicsIRFH5110TRPBF296
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFH5110TRPBF04KBulk
3h
Farnell
2
IRFH5110TRPBF121Cut Tape
9h
Microchip USAIRFH5110TRPBF226600
1d

Datenblätter und Dokumente

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element14 APAC

Datasheet10 SeitenVor 11 Jahren

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFH5110TRPBF
InfineonIRFH5110TR2PBF
Price @ 1000
$ 0.622
$ 1.59
Stock
426,688
242,693
Authorized Distributors
4
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
12.4 mΩ
12.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.6 W
114 W
Input Capacitance
3.152 nF
3.152 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFH5110TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 63A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0103ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 12.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6.4 / Rise Time ns = 9.6 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 7.8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 114
Distrelec

Bilder

element14
RS
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Distrelec
International Rectifier

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFH5110
  • IRFH5110TRPBF.
  • SP001560340