Infineon IRFH5304TR2PBF
$ 1.06
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-05-12
LTD Date2014-11-12
Verwandte Teile
InfineonIRFHM830DTRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
InfineonIRFHM830TR2PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH5304TR2PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 30V, 79A, PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:79A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation Pd:46W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:79A; Power Dissipation Pd:46W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.35 V
Number of Elements1
Power Dissipation46 W
Rds On Max4 mΩ
Recovery Time29 ns
Rise Time25 ns
Threshold Voltage2.35 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height810 µm
Length5 mm
Width5.0038 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen