Infineon IRFHM830DTRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFHM830DTRPBF04KBulk
15h
FarnellIRFHM830DTRPBF01
23h
Win SourceWS-IRFHM830DTRPBF8.24570
1d
Worldway Electronics
2
IRFHM830D12.3317
23h
ICPartonlineIRFHM830DTRPBF19.250
>1wk

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFHM830DTRPBF herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 11 Jahren

element14 APAC

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFHM830DTRPBF
InfineonIRFHM830DTR2PBF
Price @ 1000
$ 1.29
Stock
157,885
50,225
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
VQFN
VQFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
4.3 mΩ
4.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
37 W
-
Input Capacitance
1.797 nF
1.797 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02

Verwandte Teile

InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Details
InfineonIRFH5255TR2PBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
Details
InfineonIRLHM630TRPBF
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFHM830DTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 30V, 40A, 4.3 MOHM, 13 NC QG, 1.1 OHM RG, MONOFETKY, PQFN 3.3X3.3
RS (Formerly Allied Electronics)
Synchronous MOSFET for Buck Converters | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Win Source
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
Avnet
MOSFET,N CH,SCH DIODE,30V,20A,PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3400µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:20A; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4C/W); Low Profile (less than 1.0 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Schottky intrinsic diode with low forward voltage; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Infineon

Bilder

element14
Augswan
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
International Rectifier

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFHM830D
  • IRFHM830DTRPBF.
  • SP001554840