Infineon IRFHM830TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHM830TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN "N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)"
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Mosfet, N-Ch, 30V, 40A, Qfn; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.8V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFHM830TRPBF
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET,N CH,DIODE,30V,21A,PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Id Max:21A; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.155 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.8 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max3.8 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen