Infineon IRFHM830TR2PBF
$ 1.12
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFHM830TR2PBF | 0 | 800 | Bulk | 9h | |||||||
| Farnell | IRFHM830TR2PBF | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Microchip USA | IRFHM830TR2PBF | 268 | 150 | Tray | 11h | |||||||
| Component Stockers USA | IRFHM830TR2PBF | 311 | 2d | |||||||||
| Worldway Electronics | IRFHM830TR2PBF | 12.865 | 7 | Tape & Reel | 17h |
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 4 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFHM830DTRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
InfineonIRLHM630TRPBF
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHM830TR2PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,W DIODE,N CH,30V,21A,PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.155 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max3.8 mΩ
Recovery Time26 ns
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height900 µm
Length3.2766 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen