Infineon IRF8714PBF

Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRF8714PBF2.94810K
16h
Flip ElectronicsIRF8714PBF2.948
6d
RS (Formerly Allied Electronics)IRF8714PBF03800Bulk
3h
FarnellIRF8714PBF05
14h
Win SourceWS-IRF8714PBF10.090115
15h

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Alternative Teile
InfineonIRF8714PBF
InfineonIRF8714TRPBF
Price @ 1000
$ 0.268
Stock
1,825,192
4,927,774
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
1.8 V
-
Rds On Max
8.7 mΩ
8.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.02 nF
1.02 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF8714PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
MOSFET, N Ch., 30V, 14A, 8.7 MOHM, 8.1 NC QG, SO-8, Pb-Free
RS (Formerly Allied Electronics)
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
Avnet
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CH 30V 14A 8,7mOhm SO8 RoHSconf
Rutronik
Trench_Mosfets Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:8.1nC; Current Id Max:14A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:110A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
element14
Augswan
TME
Distrelec
International Rectifier
Smith & Associates
Rochester Electronics
Conrad

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF8714PBF.
  • SP001555772