Infineon IRF8313PBF

Single N-Channel 30 V 2 W 6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF8313PBF03800Bulk
3h
Win SourceWS-IRF8313PBF14.45020
12h
Worldway ElectronicsIRF8313PBF10.1527Tube
11h
ICPartonlineIRF8313PBF25.299
>1wk
Voyager ComponentsIRF8313PBF-IR-1048645
18h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren

IHS

iiiC

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF8313PBF
InfineonIRF8313TRPBF
Price @ 1000
$ 1.21
Stock
137,324
1,250,748
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9.7 A
9.7 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
15.5 mΩ
15.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF8313PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 30 V 2 W 6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Future Electronics
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC Tube
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
Dual N Channel Mosfet, 30V, 9.7A, Soic; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:8.1A; On Resistance Rds(On):0.0155Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
Newark
MOSFET, DUAL N-CH 30V 9.7A SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.7A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF8313PBF.
  • IRF8313PBF..
  • SP001570694