Infineon IRF7853PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7853PBF03800Bulk
22h
Farnell
2
IRF7853PBF01Cut Tape
1d
Win SourceWS-IRF7853PBF35.04195
6h
Worldway ElectronicsIRF7853PBF12.8857Tube
5h
Fly-Wing TechnologyIRF7853PBF164.068
1d

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element14 APAC

Datasheet8 SeitenVor 20 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF7853PBF
InfineonIRF7853TRPBF
Price @ 1000
$ 0.623
Stock
241,437
1,118,813
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8.3 A
8.3 A
Threshold Voltage
4.9 V
-
Rds On Max
18 mΩ
18 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.64 nF
1.64 nF

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7853PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET, N, 100V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:8.3A; Cont Current Id @ 70°C:6.6; Current Id Max:8.3A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:66A; Rth:50; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Newark
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7853 PBF
  • SP001566352