Infineon IRF7853TRPBF
$ 0.728
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRF7853TRPBF | 2.240 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF7853TRPBF | 80.000 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRF7853TRPBFCT-ND | 6.792 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF7853TRPBF | 19.155 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7853TRPBF | 0 | 5 | Bulk | 11h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +4.26%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7853TRPBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF7853TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7853PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S
InfineonIRF7493PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF7495PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7853TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N-CH, 8.3A, 100V, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8.3A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0144ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.9V; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 18 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6 / Rise Time ns = 6.6 / Turn-OFF Delay Time ns = 26 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +4.26%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance18 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time6.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7853TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen