Infineon IRF7495PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 18MILLIOHMS; Id 7.3A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20
Obsolete
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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

InfineonIRF7853PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S
InfineonIRF7853TRPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
onsemiFDS3572
N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
InfineonIRF7490PBF
Single N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS3590
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7495PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Single N-Channel 100 V 22 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC Tube / MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
2.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 51nC@ 10 V 1N 100V 22m¦¸@ 4.4A,10V 7.3A 1.53nF@25V SOIC-8 1.75mm
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Load Switch High Side
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.3A; Fall Time tf:36ns; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:58A; Rise Time:13ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7495 PBF
  • IRF7495PBF.
  • SP001577542