Infineon IRF7769L1TRPBF
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-02-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB027N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB160N08S4-03
80V, N-Ch, 3.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
STMicroelectronicsSTL130N8F7
N-channel 80 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STMicroelectronicsSTB160N75F3
N-channel 75 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7769L1TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 3.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
MOSFET Devices; INFINEON; IRF7769L1TRPBF; 100 V; 88 A; 20 V; 3.3 W
Trans MOSFET N-CH 100V 124A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Avnet Japan
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET / Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket
A 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 20 amperes, MG-WDSON-11, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 100V, 375A, DIRECTFET L8;
XSTR MOSFET N-CH 100V 20A 3.5MOHM@1
Power Field-Effect Transistor, 375A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS, Vds=100 V, 124 A, FET
IRF7769 - 12V-300V N-CHANNEL POW
MOSFET, N-CH, 100V, 375A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:375A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins15
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)375 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time44 ns
Dimensions
Height740 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen