STMicroelectronics STH150N10F7-2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB031N08N5ATMA1
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InfineonIRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH150N10F7-2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH150N10F7-2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 110 A, 100 V, 3-PIN H2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 110A, H2PAK;
Power MOSFETs, 100V, 90A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube DeepGate, STripFETseries, Vds=100 V, 110 A, H2PAK-2encapsulation, surface mount, 3Pin
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.115 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time57 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width10.57 mm