Infineon IPB031NE7N3GATMA1
$ 1.51
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB031NE7N3GATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPB031NE7N3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPB120N06S402ATMA2
60V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonAUIRFS3206
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB031NE7N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
100 A 75 V 0.0031 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.11 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.1 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation214 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time85 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB031NE7N3GATMA1 herunter.