Infineon IPB027N10N3GATMA1
$ 2.126
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.09%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB027N10N3GATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPB027N10N3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMalaysia, Mexico, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB042N10N3GATMA1
214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
InfineonIPB025N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB027N10N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING WITH 175 DEGREE CELSIUS
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V; Power Dissipation:300W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1.
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.09%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.1 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.7 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time84 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB027N10N3GATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen