Infineon IRF7606TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id -3.6A; MICRO8; Pd 1.8W; Vgs +/-20V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7606TRPBF04KBulk
2d
Arrow ElectronicsIRF7606TRPBF01
Farnell
3
IRF7606TRPBF01Cut Tape
1d
Microchip USAIRF7606TRPBF217600Tray
5d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF7606TRPBF4.4811Tape & Reel
5h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet7 SeitenVor 21 Jahren

IHS

International Rectifier

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

InfineonIRF7509TRPBF
Infineon Technologies N/P-channel dual HEXFET power MOSFET, 30 V, 2.7 A, TSSOP-8, IRF7509TRPBF
Details
InfineonIRF7503TRPBF
Dual N-Channel 30 V 0.222 Ohm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-8
Details
InfineonIRF7506TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Details
Diodes Inc.ZXM64N02XTA
ZXM64N02X Series 20 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Details
InfineonIRF7555TRPBF
-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7606TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID -3.6A;Micro8;PD 1.8W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, P MICRO-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 3.6A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd:
Farnell
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-3.6A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.8W; Drain Source On Resistance @ 10V:90mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:150mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Newark
TME
TME
RS
iiiC
RS
International Rectifier
LZChips
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7606
  • IRF7606TRPBF.
  • SP001563726