Infineon IRF7555TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7555TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 16h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7555TRPBF | 23.400 | 175 | 31m | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7555TRPBF | 11.208 | 7 | Tape & Reel | 3d | |||||||
| ICPartonline | IRF7555TRPBF | 13.100 | >1wk | |||||||||
| Chipsmall Limited | IRF7555TRPBF | 40.000 | 1 | 6h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-01-08
LTD Date2012-07-08
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXM64N02XTA
ZXM64N02X Series 20 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
InfineonIRF7504TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Diodes Inc.ZXM64P02XTA
ZXM64P02X Series 20 V 0.09 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Diodes Inc.ZXMD63N02XTA
ZXMD63N02X Series 20 V 0.13 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7555TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package
Compliant Surface Mount 3 mm 860 µm 3 mm 64 ns Lead Free 46 ns
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current, Id:-4.3A; Package/Case:Micro8; Power Dissipation, Pd:1.25W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:-3.4A ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageMSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Current Rating-4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.066 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance55 mΩ
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height860 µm
Length3 mm
Width3 mm
Datenblätter und Dokumente
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