Infineon IRF7506TRPBF
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Stock
391,277
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Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
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Case/Package
MSOP
MSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.7 A
1.7 A
Threshold Voltage
-1 V
-1 V
Rds On Max
270 mΩ
270 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Input Capacitance
180 pF
180 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7509TRPBF
Infineon Technologies N/P-channel dual HEXFET power MOSFET, 30 V, 2.7 A, TSSOP-8, IRF7509TRPBF
Diodes Inc.ZXM64N02XTA
ZXM64N02X Series 20 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7506TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Dual P-Channel 30 V 0.27 Ohm 7.5 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-8
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
Infineon SCT
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:-1.7A; Current Id Max:-1.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):270mohm; Package / Case:MicroSOIC; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageMSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation390 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance270 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time12 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.048 mm
Width3.048 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen