Infineon IRF7507TRPBF

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package
$ 0.55
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7507TRPBF01Bulk
4h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF7507TRPBF15.0001Tape & Reel
15h
Win Source
2
WS-IRF75076.0001
16h
Worldway Electronics
2
IRF7507TRPBF16.2597Tape & Reel
15h
ICPartonlineIRF7507TRPBF28.280
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 27 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 21 Jahren

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF7507TRPBF
InfineonIRF7507TRPBF
Price @ 1000
$ 0.55
$ 0.55
Stock
543,081
543,081
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
MSOP
MSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2.4 A
2.4 A
Threshold Voltage
700 mV
700 mV
Rds On Max
140 mΩ
140 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Input Capacitance
260 pF
260 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

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Details
Diodes Inc.ZXM64N02XTA
ZXM64N02X Series 20 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7507TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package
International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8, SOIC-8
SHENGYU ELECTRONICS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.25W; Drain-Source Breakdown Voltage:20V; Thermal Resistance, Junction-Case:100°C/W; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, DUAL NP LOGIC MICRO-8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 2.4A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7V; Threshold Voltage Vgs: -;
Farnell
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Augswan
TME
Distrelec
element14
Farnell
Farnell
RS
Future Electronics
iiiC
Farnell
DKO Electronshik
RS
International Rectifier
Distrelec
LZChips
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 7507TRPBF
  • IRF7507
  • IRF7507*
  • IRF7507TRPBF.
  • SP001555486