Infineon IRF7379TRPBF
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-12-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2012-07-27
LTD Date2013-01-27
Verwandte Teile
InfineonIRF7303QTRPBF
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRF7205TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID -4.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.ZXMC3F31DN8TA
Dual N/P-Channel 30 V 2.1 W 12.9/12.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3085LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3085LSS-13
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7379TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC T/R
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:5.8A; On Resistance, Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Current Rating5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance75 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max45 mΩ
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen