Diodes Inc. DMP3085LSS-13
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMC3025LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
Diodes Inc.DMN3025LSS-13
Single N-Channel 30 V 31 mOhm 6 nC 1.4 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
NXP SemiconductorsPSMN010-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP3085LSS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3085LSS-13
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
MOSFET P-CH 30V 3.8A ENHANCEMENT SOIC8
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
MOSFET, P-CH, 30V, 3.8A, SOIC;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance563 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max70 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen