Infineon IRF7311TRPBF

Mosfet, Power; Dual N-ch; Vdss 20V; Rds(on) 0.023 Ohm; Id 6.6A; SO-8; Pd 2W; Vgs +/-12V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7311TRPBF04KBulk
11h
Farnell
2
IRF7311TRPBF01Cut Tape
22h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF7311TRPBF2.1051Tape & Reel
23h
Win SourceWS-IRF7311TRPBF7.23035
23h
Worldway ElectronicsIRF7311TRPBF13.4947Tape & Reel
23h

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet7 SeitenVor 22 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

_legacy Avnet

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15

Verwandte Teile

InfineonIRF7311PBF
Dual N-Channel 20 V 0.029 Ohm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonIRF7317PBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonIRF7317TRPBF
Dual N/P-Channel 20V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details
onsemiFDS6812A
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Details
onsemiFDS9934C
Dual N & P-Channel 20 V 30 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
Details
onsemiFDS6892A
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 7.5A, 18mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7311TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 6.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
RS (Formerly Allied Electronics)
Dual N-Channel 20 V 0.029 Ohm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.6A; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:46mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:29mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 6.6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 29 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 31 / Rise Time ns = 17 / Turn-OFF Delay Time ns = 38 / Turn-ON Delay Time ns = 8.1 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Distrelec

Bilder

Infineon
element14 APAC
TME
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
International Rectifier
South Microelectronics
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7311TRPBF.
  • SP001574720