Infineon IRF7311PBF
$ 0.74
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRF7317PBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7317TRPBF
Dual N/P-Channel 20V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7311TRPBF
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 6.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7311PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 20 V 0.029 Ohm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6.6A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:26A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7311PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:700mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max29 mΩ
Recovery Time77 ns
Resistance29 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8.1 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen