onsemi FDS6812A
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Verwandte Teile
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS6812A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
N-CHANNEL POWER MOSFET
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.082 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance35 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)20 V