Infineon IRF6706S2TR1PBF
$ 1.348
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF6706S2TR1PBFCT-ND | 838 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6706S2TR1PBF | 0 | 1K | Bulk | 18h | |||||||
| Microchip USA | IRF6706S2TR1PBF | 2.440 | 3K | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF6706S2TR1PBF | 15.232 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Esaler Electronic | IRF6706S2TR1PBF | 1.000 | 2d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNTTFS4H07NTAG
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTD95N2LH5
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 3.8 Mohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD95N2LH5
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF6706S2TR1PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET; POWER; X0.9 CONTROLFET IN S1 OUTLINE .
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET / N-Channel 25 V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET S1 package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 25V, 17A, DirectFET S1; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max3.8 mΩ
Resistance6.5 MΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time9.9 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height740 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen