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Infineon IRF6712STR1PBF

Trans MOSFET N-CH 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
$ 1.31
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

element14 APAC

Newark

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20

Verwandte Teile

Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRLR8256PBF
MOSFET, 25V, 81A, 5.7MOHM, 10 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
NXP SemiconductorsPHD108NQ03LT,118
75 A 25 V 0.0075 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
InfineonIRF6636TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF6712STR1PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
DIRECTFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 25V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:SQ ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, DIRECTFET, 25V, SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Transistor Case Style:SQ; No. of Pins:5; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:6712; Current Id Max:17A; Package / Case:SQ; Power Dissipation Pd:2.2mW; Pulse Current Idm:130A; SMD Marking:2.2; Termination Type:SMD; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF 6712STR1PBF