STMicroelectronics STD95N2LH5
$ 0.633
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-07-27
LTD Date2025-01-27
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD86N3LH5
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
onsemiNTD78N03T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
STMicroelectronicsSTD65N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0061 Ohm, 65 A, DPAK STripFET(TM) V Power MOSFET
onsemiNTD85N02RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD95N2LH5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 3.8 Mohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD95N2LH5
STD95N2LH5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 25 V, 3-PIN TO-252
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 25V, 80A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:70W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:22V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.817 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 mΩ
Rise Time38 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant