Infineon IPB03N03LAG
$ 0.988
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB80N03S4L02ATMA1
30V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB03N03LAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.027 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time8.5 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen