Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF5803D2PBF | 0 | 1045 | Bulk | 2h | |||||||
| Microchip USA | IRF5803D2PBF | 1.819 | 3500 | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-IRF5803D2PBF | 14.000 | 80 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF5803D2PBF | 9.956 | 7 | Tube | 11h | |||||||
| Esaler Electronic | IRF5803D2PBF | 1.330 | 2h |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5803D2PBF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2012-09-19
LTD Date2013-03-19
Verwandte Teile
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7306PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS4DPF30L
Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF5803D2PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC
-40V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET With Schottky Diode; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-40V; Continuous Drain Current, Id:-3.4A; On Resistance, Rds(on):112mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance112 mΩ
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max112 mΩ
Rise Time550 ns
Turn-Off Delay Time88 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5803D2PBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen