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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-26

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)

LTB Date2022-09-29

LTD Date2023-03-29

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTMD4184PFR2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single P-Channel 30 V 165 mOhm 4.2 nC 2.31 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Dual P-Channel FETKY™ Power MOSFET -30V -4.0A 95mΩ

onsemi

MOSFET, P-CH, 30V, 3.3A, 150DEG C, 1.6W; Available until stocks are exhausted

Farnell

Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 3.3A, 150度 C, 1.6W;

element14 APAC

770mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 4.2nC@ 4.5 V 1individualPChannel 30V 95mΩ@ 3A,10V 2.3A 360pF@10V SOIC-8 SMD mount 5mm*4mm*1.5mm

UnikeyIC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTMD4184PFR2G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +0.00%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance95 mΩ

Fall Time2.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance360 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.31 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.31 W

Rds On Max95 mΩ

Rise Time12 ns

Turn-Off Delay Time18 ns

Turn-On Delay Time7.2 ns

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTMD4184PFR2G herunter.